侵權投訴

受益邏輯客戶,EUV訂單強勁 ASML Q3業績增長明顯

漁翁先生 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:Allen Yin ? 2019-10-21 18:44 ? 次閱讀

荷蘭半導體設備制造商ASML Holding10月17日發布了2019年第三季度的銷售業績報告。在收入增長的情況下,受邏輯客戶設備銷售的推動,內存芯片市場疲軟繼續拖累公司業績。盡管ASML確實預計今年的總收入會增長,但不確定性仍然在內存業務中占據主導地位。

設備銷售收入增加

在第三季度,設備銷售額同比增長11.8%,至23.3億歐元,而第二季度則下降了11.3%。第三季度的凈收入為6.27億歐元,毛利率為43.7%。

ASML的業務在第三季度轉向邏輯,其中79%的設備銷售額流向了邏輯客戶。這比第二季度的61%有所增加。設備銷售給內存客戶的份額占剩余的21%。

內存芯片行業仍然充滿不確定性,ASML無法預測復蘇的時機。該公司表示,其存儲器客戶仍在需求疲軟的情況下繼續消化供應鏈中的庫存,這在一定程度上受當前宏觀經濟環境的驅動。

在邏輯IC領域,邏輯客戶加速了高級節點的開發。在2019年的前9個月中,ASML的邏輯業務銷售額已超過2018年全年。

ASML第三季度的凈預訂額為51億歐元,幾乎是第二季度的兩倍。邏輯和內存之間的劃分類似于銷售劃分,其中73%的預訂分配給邏輯客戶,而27%的預訂分配給內存客戶。

EUV設備需求強勁

隨著半導體設計企業對7nm和5nm高級節點的開發,對芯片制造設備的要求更為嚴苛,而ASML推出的EUV恰好了彌補這點。

在本季度,ASML交付了首批NXE:3400C設備,用于批量生產。NXE:3400C將提供更高的生產率,并將生產率提高35%以上。

ASML表示,“客戶正在積極將新技術推向市場,并且隨著客戶對EUV技術的信心增強,我們看到EUV設備的需求強勁,第三季度有23個設備訂單見證了這一點。”

這些設備計劃用于7納米邏輯及以上的高級節點工藝,以及插入1z和1a DRAM生產中。為了滿足客戶對3400C設備的強勁需求,該公司制定了明年35臺EUV設備的制造計劃,其中包括2019年最初計劃的設備。

2019年仍是增長年

首席執行官Peter Wennick在發布財報的講話中表示:“我們對2019年的總體看法基本上沒有變化,因為我們繼續將2019年視為增長年。” 盡管內存業務疲軟,但強勁的邏輯銷售有望推動今年總收入增長。

ASML預計第四季度的銷售額約為39億歐元,毛利率在48%至49%之間。這遠高于該公司第三季度報告的43.7%的毛利率。如果ASML達到預期目標,全年銷售額將達到近117億歐元,高于2018年的109億歐元。

收藏 人收藏
分享:

評論

相關推薦

ASML下一代EUV光刻機堪稱史上最貴半導體設備 一臺就是12億元人民幣

截至目前,華為麒麟990 5G是唯一應用了EUV極紫外光刻的商用芯片,臺積電7nm EUV工藝制造,....
的頭像 半導體動態 發表于 12-18 09:20 ? 422次 閱讀
ASML下一代EUV光刻機堪稱史上最貴半導體設備 一臺就是12億元人民幣

AMSL:截止2019年,EUV設備加工了450萬片晶圓

ASML在IEDM 2019大會上披露,截至2019年,總共已經使用EUV設備處理了450萬片晶圓。....
的頭像 劉偉DE 發表于 12-17 13:58 ? 978次 閱讀
AMSL:截止2019年,EUV設備加工了450萬片晶圓

臺積電客戶訂單最多,將在2024年量產2nm工藝

隨著高通驍龍865使用臺積電N7+工藝量產,臺積電的7nm工藝又多了一個大客戶,盡管三星也搶走了一部....
的頭像 汽車玩家 發表于 12-11 16:16 ? 580次 閱讀
臺積電客戶訂單最多,將在2024年量產2nm工藝

ASML將蟬聯龍頭寶座至明年 國產設備企業將如何尋求突破

近日,業內人士羅伯特·卡斯特拉諾預測,全球半導體設備龍頭應用材料公司2019年有可能失去其蟬聯多年的....
的頭像 半導體動態 發表于 12-11 11:00 ? 315次 閱讀
ASML將蟬聯龍頭寶座至明年 國產設備企業將如何尋求突破

英特爾未來十年制造工藝路線圖發布,1.4納米2029年推出

英特爾預計其制造工藝節點技術將保持2年一飛躍的節奏,從2019年的10納米工藝開始,到2021年轉向....
的頭像 汽車玩家 發表于 12-11 10:31 ? 590次 閱讀
英特爾未來十年制造工藝路線圖發布,1.4納米2029年推出

中芯國際與ASML光刻機問題解決,開始進入光刻階段

在半導體工藝進入 10nm 節點之后,制造越來越困難,其中最復雜的一步——光刻需要用到 EUV 光刻....
的頭像 汽車玩家 發表于 12-10 16:04 ? 1027次 閱讀
中芯國際與ASML光刻機問題解決,開始進入光刻階段

中芯國際澄清:董事長周子學從未提及光刻機斷供問題

日前,有韓國媒體稱,中芯國際董事長周子學在韓國訪問時表示,已經解決了與ASML之間就光刻機供應的問題....
的頭像 劉偉DE 發表于 12-10 15:48 ? 1240次 閱讀
中芯國際澄清:董事長周子學從未提及光刻機斷供問題

日本首次批準了向韓國出口EUV光刻膠

盡管三星方面沒有透露具體的公司名字,但出售EUV光刻膠的應該是日本JSR公司與比利時微電子中心IME....
的頭像 芯智訊 發表于 12-09 13:56 ? 492次 閱讀
日本首次批準了向韓國出口EUV光刻膠

臺積電或在2022年開始3nm工藝的規模量產 比原定計劃提前一年

雖然半導體工藝提升越來越困難,但是被譽為天字一號代工廠的臺積電,這幾年卻仿佛打了雞血,進展神速,讓I....
的頭像 半導體動態 發表于 12-07 10:46 ? 762次 閱讀
臺積電或在2022年開始3nm工藝的規模量產 比原定計劃提前一年

臺積電的5納米和3納米都將實現量產

臺積電供應鏈管理論壇高度強調未來前景正面樂觀,外資買盤昨天重新點火,推升股價大漲6元,以312元作收....
的頭像 汽車玩家 發表于 12-06 14:40 ? 713次 閱讀
臺積電的5納米和3納米都將實現量產

三星EUV光刻膠需求找不到替代,進軍代工行業老大有難度

據businessKorea報道,自去年7月日本開始限制對韓國的出口以來,三星仍沒有找到為EUV技術....
的頭像 汽車玩家 發表于 11-29 15:42 ? 597次 閱讀
三星EUV光刻膠需求找不到替代,進軍代工行業老大有難度

ASML將進一步取代應材公司成為全球最大的半導體設備公司

根據外媒報導,已經多年蟬聯全球半導體設備龍頭的美商應材公司(Applied Materials),2....
的頭像 半導體動態 發表于 11-28 15:58 ? 920次 閱讀
ASML將進一步取代應材公司成為全球最大的半導體設備公司

ASML將在2019年取代應用材料 成為半導體設備領導者

過去三年來,在晶圓前端(WFE)設備市場,應用材料公司(Applied Materials)的市場份....
的頭像 劉偉DE 發表于 11-28 11:03 ? 1377次 閱讀
ASML將在2019年取代應用材料 成為半導體設備領導者

EUV光刻設備很好賣

11月25日,市場研究公司總裁羅伯特·卡斯特拉諾(Robert Castellano)表示:“過去三....
的頭像 汽車玩家 發表于 11-26 15:06 ? 545次 閱讀
EUV光刻設備很好賣

華為 大規模邏輯設計指導書 方法 論

華為 大規模邏輯設計指導書 方法 論
發表于 11-22 22:52 ? 1496次 閱讀
華為 大規模邏輯設計指導書 方法 論

北京華卓精科登錄科創板 核心戰略產品打破ASML在工件臺上的技術壟斷

自科創板推出以來,一大批集成電路企業積極備戰科創板,目前包括安集科技、中微公司、瀾起科技、華興源創、....
的頭像 半導體動態 發表于 11-21 16:05 ? 974次 閱讀
北京華卓精科登錄科創板 核心戰略產品打破ASML在工件臺上的技術壟斷

打破 ASML 關鍵技術壟斷,國產光刻機發展更進一步!

近日,北京證監局披露了華卓精科的第三期輔導工作報告,公司擬登陸科創板。據公司官網顯示,其生產的光刻機....
的頭像 行業投資 發表于 11-20 18:52 ? 3181次 閱讀
打破 ASML 關鍵技術壟斷,國產光刻機發展更進一步!

打破ASML壟斷,國產雙工件臺系統誕生

近年來,隨著國家的大力支持以及國內市場需求的快速增長,國產半導體產業發展迅猛,而在關鍵的國產半導體設....
的頭像 獨愛72H 發表于 11-20 16:53 ? 949次 閱讀
打破ASML壟斷,國產雙工件臺系統誕生

ASML表示邏輯運算芯片的強勁需求將延續到2020年 存儲器市場整體也逐漸復蘇

半導體芯片設備制造商ASML執行長日前表示,針對全球半導體市場狀態,目前來說高端的邏輯運算芯片需求依....
的頭像 半導體動態 發表于 11-19 16:19 ? 983次 閱讀
ASML表示邏輯運算芯片的強勁需求將延續到2020年 存儲器市場整體也逐漸復蘇

三星欲每年投91億美元建立EUV量產體制

目前,三星7nm EUV技術已經量產,在2019下半年將完成的韓國華城7nm EUV工藝生產線,將在....
的頭像 汽車玩家 發表于 11-14 16:03 ? 1048次 閱讀
三星欲每年投91億美元建立EUV量產體制

三星電子向臺積電發起正面挑戰 擬用10年時間挑戰臺積電世界首位的寶座

境外媒體報道稱,韓國三星電子在半導體代工領域向臺積電發起正面挑戰。三星將每年花費巨額投資,確定采用新....
的頭像 半導體動態 發表于 11-13 15:52 ? 1659次 閱讀
三星電子向臺積電發起正面挑戰 擬用10年時間挑戰臺積電世界首位的寶座

ASML與中芯國際否定延后出貨的說法

去年4月,中芯國際向荷蘭ASML公司訂購了一臺EUV光刻機,用于研究7nm及以下的先進工藝。花費超過....
的頭像 半導體動態 發表于 11-11 16:04 ? 813次 閱讀
ASML與中芯國際否定延后出貨的說法

訂購EUV光刻機受阻? 中芯國際和ASML回應了

針對近幾日多家媒體報道的有關ASML公司對中芯國際訂購的EUV光刻機設備有意延遲的推測。二家公司今日....
的頭像 劉偉DE 發表于 11-08 01:24 ? 1133次 閱讀
訂購EUV光刻機受阻? 中芯國際和ASML回應了

如何測試bensh的向量?

晚上好 我嘗試下面的測試bensh但是數據的長度是30的向量,并且在測試中它必須是std邏輯 所以我需要做什么? test_tb.vhd 3 K...
發表于 11-07 09:24 ? 43次 閱讀
如何測試bensh的向量?

三大半導體廠資本支出直線攀升 ASML等設備廠則成為受益者

臺積電深耕晶圓代工先進制程,10月表示強效版7納米制程導入EUV技術,今年第2季開始量產,良率已相當....
的頭像 半導體動態 發表于 11-06 15:49 ? 801次 閱讀
三大半導體廠資本支出直線攀升 ASML等設備廠則成為受益者

2019年半導體前段制程材料需求普遍下滑 WET Chemical力抗產業逆風仍有成長表現

受到半導體產業逆風影響,2019年半導體前段制程材料需求普遍下滑,占比超過3成的硅晶圓影響頗為嚴重,....
的頭像 半導體動態 發表于 11-01 15:22 ? 954次 閱讀
2019年半導體前段制程材料需求普遍下滑 WET Chemical力抗產業逆風仍有成長表現

與或非門邏輯符號是什么樣的?

與或非門邏輯符號
發表于 10-29 09:12 ? 99次 閱讀
與或非門邏輯符號是什么樣的?

網站的登錄邏輯

前后端分離  關于登錄狀態那些事
發表于 10-21 09:12 ? 64次 閱讀
網站的登錄邏輯

三星電子向ASML訂購15臺先進EUV設備 力圖在半導體晶圓代工領域超越臺積電

根據韓國媒體報導,為了期望在2030年達到成為全球第1半導體大廠的目標,并且力圖在半導體晶圓代工領域....
的頭像 半導體動態 發表于 10-18 15:35 ? 1619次 閱讀
三星電子向ASML訂購15臺先進EUV設備 力圖在半導體晶圓代工領域超越臺積電

ASML預期邏輯芯片客戶的需求將在年底之前持續強勁 第4季預估銷售凈額可達39億歐元

全球半導體微影技術領導廠商ASML 16日發布2019年第3季財報。根據財報顯示,ASML在2019....
的頭像 半導體動態 發表于 10-17 16:13 ? 880次 閱讀
ASML預期邏輯芯片客戶的需求將在年底之前持續強勁 第4季預估銷售凈額可達39億歐元

EUV設備讓摩爾定律再延伸三代工藝 但需克服諸多挑戰

臺積電近日宣布,已經開始了7nm+ EUV工藝的大規模量產,這是該公司乃至整個半導體產業首個商用EU....
的頭像 半導體動態 發表于 10-17 15:57 ? 796次 閱讀
EUV設備讓摩爾定律再延伸三代工藝 但需克服諸多挑戰

半導體細微化技術陷入瓶頸 EUV成救星

半導體細微化(Scaling)是目前半導體行業最熱門的話題之一。隨著DRAM等的芯片元器件在內的大部....
的頭像 半導體動態 發表于 10-16 15:53 ? 1313次 閱讀
半導體細微化技術陷入瓶頸 EUV成救星

Intel還在努力推進7nm工藝,最快2021年量產

 7nm是Intel下一代工藝的重要節點,而且是高性能工藝,其地位堪比現在的14nm工藝,而且它還是....
的頭像 倩倩 發表于 10-12 14:44 ? 777次 閱讀
Intel還在努力推進7nm工藝,最快2021年量產

ES套件能否有效地提高工作效率

現在你的產品責任包括PCB設計除了邏輯定義呢?今天的技術需求,看看墊ES套件可以用來有效地提高工作效....
的頭像 EE techvideo 發表于 10-12 07:07 ? 446次 觀看
ES套件能否有效地提高工作效率

如何優化在PSoC芯片中編程的實際邏輯?

我發現自己畫的邏輯門遵循我的思路,并希望反映邏輯本身的目的(貼標網)。 觀察結果很明顯,這不會導致最佳電路。 創建者應用...
發表于 10-11 07:04 ? 77次 閱讀
如何優化在PSoC芯片中編程的實際邏輯?

臺積電首個EUV工藝的N7+開始向客戶交付產品

10月7日,臺積電宣布,其業界首款可商用的極紫外(EUV)光刻技術七納米plus(N7+)將向客戶交....
的頭像 劉偉DE 發表于 10-09 10:10 ? 2474次 閱讀
臺積電首個EUV工藝的N7+開始向客戶交付產品

臺積電宣布7納米強效版制程已大量進入市場 2020年第一季將試產6納米制程技術

臺積電宣布,其領先業界導入極紫外光(EUV)微影技術的7納米強效版(N7+)制程已協助客戶產品大量進....
的頭像 半導體動態 發表于 10-08 16:11 ? 940次 閱讀
臺積電宣布7納米強效版制程已大量進入市場 2020年第一季將試產6納米制程技術

ASML第3季營收或將反彈為正成長 市場預估年增率成長66.6%

半導體設備大廠ASML歷經半導體產業低谷后,近期受臺積電5、7納米制程的EUV設備與存儲器相關設備需....
的頭像 半導體動態 發表于 10-08 16:05 ? 1076次 閱讀
ASML第3季營收或將反彈為正成長 市場預估年增率成長66.6%

哪里可以找到cpu_resetwaveform?

它可以用于我的fpga邏輯復位嗎? 在哪里可以找到cpu_resetwaveform?...
發表于 10-08 10:33 ? 111次 閱讀
哪里可以找到cpu_resetwaveform?

7nm節點后光刻技術從DUV轉至EUV,設備價值劇增

芯片行業從20世紀90年代開始就考慮使用13.5nm的EUV光刻(紫外線波長范圍是10~400nm)....
的頭像 電子技術應用ChinaAET 發表于 10-01 17:12 ? 1239次 閱讀
7nm節點后光刻技術從DUV轉至EUV,設備價值劇增

曝Intel已從今年8月份開始訂購用于7nmEUV工藝節點的材料和設備 數據中心GPU或首發

Intel 10nm處理器已經量產發售,明年預計會在市場上井噴,推出桌面CPU等產品。
的頭像 半導體動態 發表于 09-21 11:27 ? 1149次 閱讀
曝Intel已從今年8月份開始訂購用于7nmEUV工藝節點的材料和設備 數據中心GPU或首發

長鑫存儲首次公開亮相談DARM技術的未來

在談到DRAM技術未來的發展時,平博士首先強調,DRAM是有它的極限的。我們通過改進,可以將極限推遲....
發表于 09-19 15:06 ? 721次 閱讀
長鑫存儲首次公開亮相談DARM技術的未來

關于MATLAB在生活中的應用介紹

如果你和我一樣,可能今天至少有一次希望時間停下來,讓你可以來思考再去做事。對我來說,這發生在第三杯咖....
的頭像 MATLAB 發表于 09-18 17:20 ? 1357次 閱讀
關于MATLAB在生活中的應用介紹

邏輯芯片命名技巧概述

(18.83 KB)
發表于 09-16 09:01 ? 205次 閱讀
邏輯芯片命名技巧概述

實現3nm技術節點需要突破哪些半導體關鍵技術

將互連擴展到3nm技術節點及以下需要多項創新。IMEC認為雙大馬士革中的單次顯影EUV,Superv....
的頭像 半導體動態 發表于 09-15 17:23 ? 1874次 閱讀
實現3nm技術節點需要突破哪些半導體關鍵技術

EUV工藝不同多重圖形化方案的優缺點及新的進展研究

與過去相比,研究人員現在已經將EUVL作為存儲器關鍵結構的圖形化工藝的一個選項,例如DRAM的柱體結....
的頭像 電子發燒友網工程師 發表于 09-05 11:45 ? 1321次 閱讀
EUV工藝不同多重圖形化方案的優缺點及新的進展研究

Litho路障威脅到40納米以下的芯片生產

加利福尼亞州圣何塞 - 制造商設備供應商佳能公司的一位官員警告說,下一代平版印刷術(NGL)面臨著新....
的頭像 PCB線路板打樣 發表于 09-01 09:40 ? 594次 閱讀
Litho路障威脅到40納米以下的芯片生產

ASML在未來將如何持續推動半導體產業發展

AI、5G應用推動芯片微縮化,要實現5nm、3nm等先進制程,意味著需要更新穎的技術支援以進行加工制....
的頭像 半導體動態 發表于 08-27 16:47 ? 979次 閱讀
ASML在未來將如何持續推動半導體產業發展

日本首次批準向韓國出口EUV光刻膠

7月1日,日本政府宣布將韓國移除對外貿易白名單,韓國進口日本公司的三種原材料——光刻膠、氟化聚酰亞胺....
的頭像 半導體動態 發表于 08-11 10:54 ? 1465次 閱讀
日本首次批準向韓國出口EUV光刻膠

為什么邏輯信號完全不穩定?

你好! 我以前看過很多基于時間無關邏輯的FPGA設計,比如“assign time_o =(time_sel)?time1_r:time2_r”。 但是當我設...
發表于 08-09 10:02 ? 176次 閱讀
為什么邏輯信號完全不穩定?

浸沒式光刻原理淺析

到2002年底浸入式技術迅速成為光刻技術中的新寵,而此前業界并沒有認為浸入式技術有如此大的功效。
的頭像 傳感器技術 發表于 08-08 17:47 ? 1722次 閱讀
浸沒式光刻原理淺析

臺積電時程規劃領先業界并積極備妥產能 三星加速時程緊咬臺積電

臺積電、Samsung與Intel在先進制程發展的競爭關系備受市場矚目。過去先進制程發展除了解決微縮....
的頭像 半導體動態 發表于 08-08 16:32 ? 1114次 閱讀
臺積電時程規劃領先業界并積極備妥產能 三星加速時程緊咬臺積電

三星表示2020年7nmEUV生產線將如期量產 并計劃再建設另外的7nmEUV工廠

盡管日本方面上周末推出了第二波禁韓令,預計多達857種重要材料對韓國出口都會受到管制影響,此舉可能會....
的頭像 半導體動態 發表于 08-05 15:26 ? 999次 閱讀
三星表示2020年7nmEUV生產線將如期量產 并計劃再建設另外的7nmEUV工廠

并發、并行、進程、線程和協程的區別

首先是并發,并發的概念是很早就有的了。最早的時候機器都是批處理系統,而且是單道批處理系統,這個系統就是很簡單的線性邏輯,...
發表于 08-05 08:24 ? 220次 閱讀
并發、并行、進程、線程和協程的區別

如何使用ICAP_SPARTAN6進行多重啟動

嗨, 我試圖在xc6slx16上使用ICAP_SPARTAN6 Primitive進行多重啟動。 我按照ug380表7.1中的確切說明來提供配置數據...
發表于 07-22 11:32 ? 175次 閱讀
如何使用ICAP_SPARTAN6進行多重啟動

SN74AXC8T245-Q1 具有可配置電壓轉換和三態輸出的汽車類 8 位雙電源總線收發器

符合SN74AXC8T245-Q1AEC-Q100標準的器件是一款8位同相總線收發器,可解決在最新電壓節點運行的器件之間的電壓電平不匹配(0.7 V,0.8 V和0.9 V)和器件工作在工業標準電壓節點(1.8 V,2.5 V,3.3 V),反之亦然。 該器件使用兩個獨立的電源軌(V)工作 CCA 和V CCB )工作電壓低至0.65 V.數據線A1至A8用于跟蹤V CCA ,它接受來自的任何電源電壓0.65 V至3.6 V.數據引腳B1至B8用于跟蹤V CCB ,可接受0.65 V至3.6 V的任何電源電壓。 SN74AXC8T245-Q1器件設計用于異步通信的數據總線。根據方向控制輸入(DIR1和DIR2)的邏輯電平,器件將數據從A總線傳輸到B總線或從B總線傳輸到A總線。輸出使能( OE )輸入用于禁用輸出,因此總線有效隔離。 SN74AXC8T245-Q1器件的設計使得控制引腳(DIR和 OE )引用V CCA 。 使用I off 為部分斷電應用完全指定此設備。 I off 電路禁用設備斷電時的輸出。這可以抑制電流回流到器件中,從而防止器件損壞。 V CC 隔離功能可確保當V CC 輸入電源低于100 mV時,所有電平轉換器輸出均被禁用并置于高阻態。 為確保上電或斷電期間電平轉換器I...
發表于 01-08 17:48 ? 70次 閱讀
SN74AXC8T245-Q1 具有可配置電壓轉換和三態輸出的汽車類 8 位雙電源總線收發器

SN74AXC4T245 4 位雙電源總線收發器

SN74AXC4T245是一款四位同相總線收發器,使用兩個可單獨配置的電源軌。該器件可在V CCA 和V CCB 電源下工作,電壓低至0.65 V.A端口用于跟蹤V CCA ,它接受任何電源電壓為0.65 V至3.6 V.B端口設計為跟蹤V CCB ,也可接受0.65 V至3.6 V的任何電源電壓。此外,SN74AXC4T245兼容單電源SN74AXC4T245設備用于數據總線之間的異步通信。設備將數據從A總線傳輸到B總線或從B總線傳輸到A總線,具體取決于方向的邏輯電平。控制輸入??(1DIR和2DIR)。輸出使能輸入(1 OE 和2 OE )用于禁用輸出,因此可以有效隔離總線。 SN74AXC4T245器件的設計使控制引腳(xDIR和x OE )以V CCA 為參考。 確保高阻態上電或掉電期間電平轉換I /O,x OE 引腳應通過上電電阻連接到V CCA 。 此設備完全使用I off 電流為部分斷電應用指定。 I off 保護電路確保在器件斷電時,沒有過多的電流從輸入,輸出或組合I /O中吸取過量電壓。 V CC 隔離功能可確保如果V CCA 或V CCB 小于100 mV,則兩個I /O端口均為高阻態通過禁用其輸出來實現狀態。 無干擾電源排序允許電源軌以任意順序上電...
發表于 01-08 17:47 ? 78次 閱讀
SN74AXC4T245 4 位雙電源總線收發器

SN74AXCH8T245 8 位雙電源總線收發器

SN74AXCH8T245器件是一款8位同相總線收發器,可用于解決在最新電壓節點(0.7V,0.8V,0.9V)上運行的器件與在行業標準電壓節點(1.8V,2.5V,3.3V)上運行的器件之間的電壓電平不匹配問題。 該器件通過兩條獨立電源軌(V CCA 和V CCB )。數據引腳A1至A8均用于跟蹤V CCA ,可承受0.65V-3.6V范圍內的任何電源電壓。數據引腳B1至B8均用于跟蹤V CCB ,可承受0.65V-3.6V范圍內的任何電源電壓。此外,SN74AXCH8T245還與單電源系統兼容。 SN74AXCH8T245器件旨在實現數據總線間的異步通信。根據方向控制輸入(DIR1和DIR2)的邏輯電平,此器件將數據從A總線傳輸至B總線,或者將數據從B總線傳輸至A總線。輸出使能( OE )輸入可用于禁用輸出,從而有效隔離總線。 SN74AXCH8T245器件旨在使控制引腳(DIR和 OE )以V CCA 為基準。 有源總線保持電路會將未使用或未驅動的輸入保持在如果V CCA 或V CCB 連上電源,則總線保持電路在所有A端口和B端口上均始終保持工作狀態,與方向控制或輸出使能無關。 該器件完全適用于使用I off 的局部斷電應用。當器件斷電時,我 off 電路將...
發表于 01-08 17:47 ? 112次 閱讀
SN74AXCH8T245 8 位雙電源總線收發器

SMV512K32-SP 16MB 防輻射 SRAM

SMV512K32是一款高性能異步CMOS SRAM,由32位524,288個字組成。可在兩種模式:主控或受控間進行引腳選擇。主設件為用戶提供了定義的自主EDAC擦除選項。從器件選擇采用按要求擦除特性,此特性可由一個主器件啟動。根據用戶需要,可提供3個讀周期和4個寫周期(描述如下)。 特性 20ns讀取,13.8ns寫入(最大存取時間) 與商用 512K x 32 SRAM器件功能兼容 內置EDAC(錯誤偵測和校正)以減輕軟錯誤 用于自主校正的內置引擎 CMOS兼容輸入和輸出電平,3態雙向數據總線 3.3±0.3VI /O,1.8±0.15V內核 輻射性能放射耐受性是一個基于最初器件標準的典型值。輻射數據和批量驗收測試可用 - 細節請與廠家聯系。 設計使用基底工程和抗輻射(HBD)與硅空間技術公司(SST)許可協議下的< sup> TM 技術和存儲器設計。 TID抗擾度&gt; 3e5rad(Si) SER&lt; 5e-17翻轉/位 - 天使用(CRPLE96來計算用于與地同步軌道,太陽安靜期的SER。 LET = 110 MeV (T = 398K) 采用76引線陶瓷方形扁平封裝 可提供工程評估(/EM)樣品這些部件只用于工程評估。它們的加工工藝為非兼容流程(例如,無預燒過程等),...
發表于 01-08 17:47 ? 168次 閱讀
SMV512K32-SP 16MB 防輻射 SRAM

SN74HCT273A 具有清零功能的八路 D 類觸發器

與其它產品相比?D 類觸發器 ? Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Rating Operating temperature range (C) ? SN74HCT273A HCT ? ? 2 ? ? 6 ? ? Catalog ? ? -40 to 85 ? ?
發表于 01-08 17:46 ? 122次 閱讀
SN74HCT273A 具有清零功能的八路 D 類觸發器

SN74HC541A 具有三態輸出的八路緩沖器和線路驅動器

與其它產品相比?同向緩沖器/驅動器 ? Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) F @ nom voltage (Max) (Mhz) Rating Operating temperature range (C) ? SN74HC541A HC ? ? 2 ? ? 6 ? ? 20 ? ? Catalog ? ? -40 to 85 ? ?
發表于 01-08 17:46 ? 51次 閱讀
SN74HC541A 具有三態輸出的八路緩沖器和線路驅動器

SN74HC86A 四路 2 輸入異或門

與其它產品相比?XOR(異或)門 ? Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Channels (#) Inputs per channel IOL (Max) (mA) IOH (Max) (mA) Input type Output type Features Data rate (Max) (Mbps) Rating Operating temperature range (C) Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? SN74HC86A HC ? ? 2 ? ? 6 ? ? 4 ? ? 2 ? ? 4 ? ? -4 ? ? Standard CMOS ? ? Push-Pull ? ? High Speed (tpd 10-50ns) ? ? 28 ? ? Catalog ? ? -40 to 85 ? ? SO | 14 TSSOP | 14 ? ? 14SO: 80 mm2: 7.8 x 10.2 (SO | 14) 14TSSOP: 32 mm2: 6.4 x 5 (TSSOP | 14) ? ?...
發表于 01-08 17:46 ? 75次 閱讀
SN74HC86A 四路 2 輸入異或門

SN74HC4040A 12 位異步二進制計數器

與其它產品相比?計數器/算術/奇偶校驗功能 ? Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Rating Operating temperature range (C) Package Group ? SN74HC4040A HC ? ? 2 ? ? 6 ? ? Catalog ? ? -40 to 85 ? ? SO | 16 TSSOP | 16 ? ?
發表于 01-08 17:46 ? 120次 閱讀
SN74HC4040A 12 位異步二進制計數器

SN74HCT541A 具有三態輸出的八路緩沖器和線路驅動器

與其它產品相比?同向緩沖器/驅動器 ? Technology Family F @ nom voltage (Max) (Mhz) Rating Operating temperature range (C) ? SN74HCT541A HCT ? ? 25 ? ? Catalog ? ? -40 to 85 ? ?
發表于 01-08 17:46 ? 67次 閱讀
SN74HCT541A 具有三態輸出的八路緩沖器和線路驅動器

SN74HCT04A 六路反向器

與其它產品相比?反向緩沖器/驅動器 ? Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Bits (#) Voltage (Nom) (V) F @ nom voltage (Max) (Mhz) ICC @ nom voltage (Max) (mA) tpd @ Nom Voltage (Max) (ns) IOL (Max) (mA) IOH (Max) (mA) Schmitt Trigger Rating Operating temperature range (C) ? SN74HCT04A HCT ? ? 4.5 ? ? 5.5 ? ? 6 ? ? 5 ? ? 25 ? ? 0.02 ? ? 20 ? ? 4 ? ? -4 ? ? No ? ? Catalog ? ? -40 to 85 ? ?
發表于 01-08 17:46 ? 143次 閱讀
SN74HCT04A 六路反向器

SN74HC126A 具有三態輸出的四路總線緩沖器閘

與其它產品相比?同向緩沖器/驅動器 ? Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) F @ nom voltage (Max) (Mhz) tpd @ Nom Voltage (Max) (ns) IOL (Max) (mA) IOH (Max) (mA) Rating Operating temperature range (C) ? SN74HC126A HC ? ? 2 ? ? 6 ? ? 20 ? ? 26 ? ? 6 ? ? -6 ? ? Catalog ? ? -40 to 85 ? ?
發表于 01-08 17:46 ? 136次 閱讀
SN74HC126A 具有三態輸出的四路總線緩沖器閘

SN74HC273A 具有清零功能的八路 D 類觸發器

與其它產品相比?D 類觸發器 ? Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Bits (#) Rating Operating temperature range (C) ? SN74HC273A HC ? ? 2 ? ? 6 ? ? 8 ? ? Catalog ? ? -40 to 85 ? ?
發表于 01-08 17:46 ? 158次 閱讀
SN74HC273A 具有清零功能的八路 D 類觸發器

SN74AXCH1T45 單位雙電源總線收發器

SN74AXCH1T45是一個單比特同相總線收發器,使用兩個可單獨配置的電源軌。該器件可在V CCA 和V CCB 電源下工作,電壓低至0.65 V.A端口用于跟蹤V CCA ,它接受任何電源電壓為0.65 V至3.6 V.B端口設計為跟蹤V CCB ,也可接受0.65 V至3.6 V的任何電源電壓。此外,SN74AXCH1T45與單電源兼容系統。 DIR引腳決定了信號傳播的方向。在DIR引腳配置為HIGH時,轉換從端口A到端口B.當DIR配置為低電平時,轉換從端口B到端口A.DIR引腳參考V CCA ,這意味著它的邏輯高電平和邏輯低閾值跟蹤V CCA 。 有源總線保持電路將未使用或未驅動的輸入保持在有效的邏輯狀態。不建議使用帶有總線保持電路的脈沖或下拉電阻。如果V CCA 或V CCB 存在電源,則總線保持電路始終在A或B輸入上保持有效,與方向控制引腳的狀態無關。 /p> 使用I off 電流為部分斷電應用完全指定了該器件。 I off 保護電路確保在器件斷電時,沒有過多的電流從輸入,輸出或組合I /O中吸取過量電壓。 V CC 隔離功能可確保如果V CCA 或V CCB 小于100 mV,則兩個I /O端口均為高阻態通過禁用其輸出來實現狀態。 無...
發表于 01-08 17:46 ? 66次 閱讀
SN74AXCH1T45 單位雙電源總線收發器

SN74LVC1G240 具有三態輸出的單路反向緩沖器/驅動器

此單緩沖器/驅動器設計用于1.65 V至5.5 VVCC操作。 SN74LVC1G240是一款具有三態輸出的單線驅動器。當輸出使能(> OE)輸入高時,輸出被禁用。 NanoFree™封裝技術是IC封裝的重大突破概念,使用芯片作為封裝。 為了確保上電或斷電期間的高阻態,OE應該綁定通過上拉電阻到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 該器件完全適用于使用Ioff的部分斷電應用。 Ioff電路禁用輸出,防止在斷電時損壞通過器件的電流回流。 特性 德州儀器NanoFree軟件包中提供 支持5-VVCC操作 輸入接受電壓至5.5 V 向VCC提供向下轉換 3.7的最大tpdns在3.3 V 低功耗,10-μA最大ICC ±24-mA輸出驅動,3.3 V Ioff支持實時插入,部分斷電模式和后驅動保護 閂鎖性能超過每個JTED 78,Class II 100 mA ESD保護超過JESD 22 2000-V人體模型(A114-A) 200-V機型...
發表于 10-09 15:57 ? 66次 閱讀
SN74LVC1G240 具有三態輸出的單路反向緩沖器/驅動器

SN74LVCH16646A 具有三態輸出的 16 位總線收發器和寄存器

該16位總線收發器和寄存器設計用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74LVCH16646A可用作兩個8位收發器或一個16位收發器。該器件由總線收發器電路,D型觸發器和控制電路組成,用于直接從輸入總線或內部寄存器多路傳輸數據。 A或B總線上的數據是在適當時鐘(CLKAB或CLKBA)輸入的低到高轉換時進入寄存器。圖1顯示了可以使用SN74LVCH16646A執行的四種基本總線管理功能。 輸出使能(OE)和方向控制(DIR)輸入控制收發器功能。在收發器模式下,高阻端口的數據可以存儲在寄存器中或兩者中。選擇控制(SAB和SBA)輸入可以復用存儲的和實時的(透明模式)數據。用于選擇控制的電路消除了在存儲的和實時數據之間的轉換期間在多路復用器中發生的典型解碼故障。當OE \低時,DIR確定哪個總線接收數據。在隔離模式(OE \ high)中,A數據可以存儲在一個寄存器中,和/或B數據可以存儲在另一個寄存器中。 該器件完全適用于部分關斷應用使用Ioff。 Ioff電路禁用輸出,防止在斷電時損壞電流通過器件。 當禁用輸出功能時,輸入功能仍然有效且可以用于存儲和傳輸數據。一...
發表于 10-09 15:53 ? 21次 閱讀
SN74LVCH16646A 具有三態輸出的 16 位總線收發器和寄存器

SN74BCT652 八路總線收發器和寄存器

這些設備包括總線收發器電路,D型觸發器和控制電路,用于直接從數據總線或從數據總線多路傳輸數據。內部存儲寄存器。 輸出使能(OEAB)提供輸入以控制收發器功能。提供選擇控制(SAB和SBA)輸入以選擇是傳送實時數據還是存儲數據。用于選擇控制的電路消除了在存儲的和實時數據之間的轉換期間在多路復用器中發生的典型解碼故障。低輸入選擇實時數據,高輸入選擇存儲數據。圖1顯示了可以使用'BCT652執行的四種基本總線管理功能。 A或B數據總線上的數據或兩者都可以存儲在內部D型觸發器中無論選擇或使能控制引腳如何,通過適當時鐘(CLKAB或CLKBA)輸入的低到高轉換。當SAB和SBA處于實時傳輸模式時,通過同時啟用OEAB和。在此配置中,每個輸出都會增強其輸入。因此,當兩組總線的所有其他數據源都處于高阻態時,每組總線保持最后狀態。 SN54BCT652的特點是可在整個軍用溫度范圍內工作。 -55°C至125°C。 SN74BCT652的特點是工作溫度范圍為0°C至70°C。 特性 最先進的BiCMOS設計顯著減少了ICCZ ...
發表于 10-09 15:51 ? 20次 閱讀
SN74BCT652 八路總線收發器和寄存器

SN74HCT645 具有三態輸出的八路總線收發器

這些八進制總線收發器設計用于數據總線之間的異步雙向通信。這些設備根據方向控制(DIR)輸入的電平,將數據從A總線傳輸到B總線或從B總線傳輸到A總線。輸出使能(OE)\輸入可用于禁用器件,以便有效隔離總線。 特性 工作電壓范圍4.5 V至5.5 V 高電流三態輸出可驅動多達15 LSTTL負載 低功耗,80-μA最大ICC 典型tpd= 14 ns < li>±6-mA輸出驅動,5 V 低輸入電流,1μA最大 輸入兼容TTL電壓 True Logic 參數 與其它產品相比 標準收發器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Bits (#) Voltage (Nom) (V) F @ Nom Voltage (Max) (Mhz) ICC @ Nom Voltage (Max) (mA) ...
發表于 10-09 15:49 ? 36次 閱讀
SN74HCT645 具有三態輸出的八路總線收發器

SN74HC646 具有三態輸出的八路總線收發器和寄存器

 HC646器件包括具有3態輸出的總線收發器電路,D型觸發器和用于多路傳輸的控制電路數據直接來自輸入總線或內部寄存器。 A或B總線上的數據在適當時鐘(CLKAB或CLKBA)輸入的低到高轉換時被輸入寄存器。圖1顯示了可以使用 HC646器件執行的四種基本總線管理功能。 輸出使能(OE)和方向控制(DIR)輸入控制收發器功能。在收發器模式下,高阻抗端口的數據可以存儲在一個或兩個寄存器中。 選擇控制(SAB和SBA)輸入可以復用存儲和實時(透明模式)數據。當OE \有效(低)時,DIR確定哪條總線接收數據。在隔離模式(OE \ high)中,A數據可以存儲在一個寄存器中和/或B數據可以存儲在另一個寄存器中。 確保上電或上電期間的高阻態向下,OE \應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 當禁用輸出功能時,輸入功能仍然有效,可用于存儲數據。一次只能驅動兩條總線A或B中的一條。 特性 2 V至6 V的寬工作電壓范圍 高電流三態輸出可驅動至15 LSTTL負載 低功耗,80-μA最...
發表于 10-09 15:46 ? 21次 閱讀
SN74HC646 具有三態輸出的八路總線收發器和寄存器

SN74LVC16245A 具有三態輸出的 16 位總線收發器

這個16位(雙八進制)同相總線收發器設計用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74LVC16245A器件專為數據總線之間的異步通信而設計。 該器件可用作兩個8位收發器或一個16位收發器。 特性 德州儀器公司成員 Widebus系列 工作電壓范圍為1.65 V至3.6 V < li>輸入接受電壓至5.5 V 最大tpd4 ns,3.3 V 典型VOLP(輸出地面彈跳) &lt; 0.8 V,VCC= 3.3 V,TA= 25°C 典型VOHV(輸出V < sub> OH Undershoot) &gt; 2 V,VCC= 3.3 V,TA= 25°C 支持所有端口的混合模式信號操作(5 V輸入) /輸出電壓使用 3.3 VVCC) Ioff支持實時插入,部分關機模式和后驅保護 閂鎖性能每JESD超過250 mA 17 ESD保護超過JESD 22 2000-V人體模型(A114-A) 200 V機型(A115-A) 1000 V充電設備型號(C101) 參數 ...
發表于 10-09 15:44 ? 311次 閱讀
SN74LVC16245A 具有三態輸出的 16 位總線收發器

SN74HCT623 具有三態輸出的八路總線收發器

這些八進制總線收發器設計用于數據總線之間的異步雙向通信。控制功能實現允許最大的時序靈活性。 ?? HCT623器件允許從A總線到B總線或從B總線到A總線的數據傳輸,具體取決于邏輯電平在輸出使能(OEAB和OEBA \)輸入端。 輸出使能輸入禁用器件,以便有效隔離總線。雙啟用配置使收發器能夠同時啟用OEAB和OEBA \來存儲數據。每個輸出都強化了此收發器配置中的輸入。當OEAB和OEBA都被使能并且兩組總線的所有其他數據源都處于高阻態時,兩組總線(總共16個)保持其最后狀態。兩組總線上出現的8位代碼是相同的。 為確保上電或掉電期間的高阻態,OEBA \應連接到VCC通過上拉電阻和OEAB應通過下拉電阻連接到GND;電阻的最小值由驅動器的電流吸收/電流源能力決定。 特性 工作電壓范圍4.5 V至5.5 V 低功耗,80-μA最大ICC 典型tpd= 11 ns ±6-mA輸出驅動,5 V 低輸入電流最大 輸入兼容TTL電壓 鎖定總線鎖存功能 True Logic ...
發表于 10-09 15:42 ? 18次 閱讀
SN74HCT623 具有三態輸出的八路總線收發器
河南省体彩481今日开奖